5G, ясалма интеллект (AI) һәм әйберләр интернеты (IoT) тиз үсү белән, ярымүткәргеч өлкәсендә югары җитештерүчән материалларга сорау кискен артты.Ircирконий тетрахлорид (ZrCl₄), мөһим ярымүткәргеч материал буларак, югары кинофильмнар әзерләүдә төп роле аркасында алдынгы процесс чиплары (3нм / 2нм кебек) алыштыргысыз чималга әйләнде.
Ircирконий тетрахлорид һәм югары k фильмнары
Ярымүткәргеч җитештерүдә югары k фильмнар чип җитештерүчәнлеген яхшырту өчен төп материалларның берсе. Традицион кремний нигезендәге капка диэлектрик материалларының өзлексез кысылуы процессы (SiO₂ кебек), аларның калынлыгы физик чиккә якынлаша, нәтиҗәдә агып чыгу һәм энергия куллану сизелерлек арта. Kгары k материаллары (цирконий оксиды, гафний оксиды һ.б.) диэлектрик катламның физик калынлыгын эффектив арттырырга, тоннель эффектын киметергә, шулай итеп электрон җайланмаларның тотрыклылыгын һәм эшләвен яхшыртырга мөмкин.
Ircирконий тетрахлорид - югары фильмнар әзерләү өчен мөһим прекурсор. Ircирконий тетрахлорид химик пар парламенты (CVD) яки атом катламы (ALD) кебек процесслар аша югары чисталыклы цирконий оксиды фильмнарына әверелергә мөмкин. Бу фильмнар искиткеч диэлектрик үзенчәлекләргә ия һәм чипларның эшләвен һәм энергия нәтиҗәлелеген сизелерлек күтәрә ала. Мәсәлән, TSMC үзенең 2нм процессында төрле яңа материаллар һәм процесс камилләштерүләре кертте, шул исәптән транзистор тыгызлыгын арттыруга һәм энергия куллануны киметүгә ирешкән югары диэлектрик даими фильмнарны куллануны да кертеп.
Глобаль тәэмин итү чылбыры динамикасы
Глобаль ярымүткәргеч тәэмин итү чылбырында тәэмин итү һәм җитештерү үрнәгецирконий тетрахлоридтармак үсеше өчен бик мөһим. Хәзерге вакытта Кытай, АКШ һәм Япония кебек илләр һәм төбәкләр цирконий тетрахлорид һәм аңа бәйле югары диэлектрик даими материаллар җитештерүдә мөһим урын били.
Технологик казанышлар һәм киләчәк перспективалар
Технологик ачышлар ярымүткәргеч тармагында цирконий тетрахлорид куллануны алга этәрүдә төп факторлар. Соңгы елларда атом катламын оптимизацияләү (ALD) процесс тикшеренү ноктасына әйләнде. ALD процессы наноскалда фильмның калынлыгын һәм бердәмлеген төгәл контрольдә тота, шуның белән югары диэлектрик даими фильмнарның сыйфатын күтәрә ала. Мәсәлән, Пекин Университеты Лю Лейның тикшеренү төркеме дымлы химик ысул белән югары диэлектрик даими аморф фильм әзерләде һәм аны ике үлчәмле ярымүткәргеч электрон җайланмаларда уңышлы кулланды.
Моннан тыш, ярымүткәргеч процесслары кечерәк зурлыкларга алга барган саен, цирконий тетрахлоридының куллану күләме дә киңәя. Мәсәлән, TSMC 2025 елның икенче яртысында 2nm технологиясен массакүләм җитештерүгә ирешергә уйлый, һәм Samsung шулай ук 2nm процессының тикшеренүләрен һәм үсешен актив рәвештә алга этәрә. Бу алдынгы процессларны тормышка ашыру югары диэлектрик даими фильмнар ярдәмендә аерылгысыз, һәм цирконий тетрахлорид, төп чимал буларак, үз-үзенә ачык әһәмияткә ия.
Йомгаклап әйткәндә, ярымүткәргеч тармагында цирконий тетрахлоридның төп роле көннән-көн күренеп бара. 5G, AI һәм әйберләр интернетының популярлашуы белән, югары җитештерүчән чипларга сорау арта бара. Ircирконий тетрахлорид, югары диэлектрик даими фильмнарның мөһим прекурсоры буларак, киләсе буын чип технологиясе үсешен алга этәрүдә алыштыргысыз роль уйныйчак. Киләчәктә, технологиянең өзлексез алга китүе һәм глобаль тәэмин итү чылбырын оптимизацияләү белән, цирконий тетрахлоридын куллану перспективалары киңрәк булачак.
Пост вакыты: 14-2025 апрель